Hochspannungskomponenten: effiziente Hüter der Elektrizität im Zeitalter neuer Energien und KI

Der Kern technologischer Innovation liegt in der Aufwertung von Materialien. Halbleitermaterialien der dritten Generation wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) rücken aufgrund ihrer hervorragenden Spannungsfestigkeit und Hochfrequenzeigenschaften in den Fokus der Forschung und Entwicklung. Kürzlich hat ein inländisches Team international führende 10-kV-15-kV-SiC-Stromversorgungsgeräte entwickelt, die direkt an Mittelspannungsnetze angeschlossen werden können und wichtige Geräte für Rechenzentren und die Integration neuer Energienetze bereitstellen. Gleichzeitig intensivieren internationale Giganten ihre Zusammenarbeit bei der Entwicklung einer neuen Generation von 650-V-GaN-Geräten, die darauf abzielen, die Energieeffizienz in verschiedenen Bereichen vom Schnellladen von Elektrofahrzeugen bis hin zu KI-Rechenzentren zu verbessern.

DieseKomponentensind der Grundstein für den Aufbau eines neuartigen Energiesystems. Hochspannungswiderstände werden zur präzisen Spannungsaufteilung und zum Schutz von Photovoltaik-Wechselrichtern und Ladestationen eingesetzt; Der neue integrierte Hochspannungs-Referenzchip kann ein äußerst stabiles „Lineal“ für Präzisionsmessungen bieten. Es ist abzusehen, dass effizientere und kompaktere Hochspannungskomponenten weiterhin die entscheidende Kraft für die Energiewende und die Aufrüstung der Rechenleistung liefern werden.